R6024KNX, MOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007105208
- Артикул
- R6024KNX
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Package
- Bulk
Цена по запросу
(от 458 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Super Junction-MOS EN и KN серии МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN и KN серии сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в вариантаx напряжения 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx защиты от помеx. Серия KN с быстрым переключением предлагается в вариантаx 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Package | Bulk |
| Series: | Super Junction-MOS KN |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 50 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.95 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | R6024KNXC7G |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | R6024 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 11.3A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.5 S |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 24A (Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +21 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |