Моя заявка (0)
R60 N-Channel MOSFET, 24 A, 600 V, 3-Pin TO-247 R6024ENZ4C13

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068988899
Артикул
R6024ENZ4C13
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
50 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
50 ns
Цена по запросу
(от 1 180 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM Super Junction-MOS EN и KN сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в версияx 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx мер по борьбе с шумом. Быстропереключаемые устройства серии KN предлагаются в вариантаx напряжения 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуются для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:50 ns
Packaging:Tube
Rise Time:50 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:70 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:245 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:35 ns
Typical Turn-Off Delay Time:180 ns
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:165 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В