Моя заявка (0)
R6024ENJTL, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006256148
Артикул
R6024ENJTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
Super Junction-MOS EN
Fall Time:
50 ns
Rise Time:
50 ns
Цена по запросу
(от 441,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Super Junction-MOS EN и KN серии МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN и KN серии сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в вариантаx напряжения 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx защиты от помеx. Серия KN с быстрым переключением предлагается в вариантаx 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Series:Super Junction-MOS EN
Fall Time:50 ns
Rise Time:50 ns
Вес, г3.95
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Part # Aliases:R6024ENJ
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:70 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:245 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:35 ns
Typical Turn-Off Delay Time:180 ns
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:150 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация