Моя заявка (0)

R6020PNJFRATL, MOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS

R6020PNJFRATL, MOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070198157
Артикул
R6020PNJFRATL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
70 ns
Rise Time:
60 ns
Вес, г
3.96
Цена по запросу
(от 803,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 Автомобильные МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В DSS до 100 В DSS. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А, а RDSВ (вкл.) - от 0,004 Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:70 ns
Rise Time:60 ns
Вес, г3.96
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Part # Aliases:R6020PNJFRA
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation304Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:65 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:304 W
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:230 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7 S
Drain Source On State Resistance0.19Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Линейка Продукции-
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Непрерывный Ток Стока20А
Рассеиваемая Мощность304Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263S
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.19Ом