R6020ENXC7G, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070246511
- Артикул
- R6020ENXC7G
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 67 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 53 ns
Цена по запросу
(от 474,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 67 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 53 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220FM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | R6020ENX |
| Transistor Type: | Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 196 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |