R6020ENJTL, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019467569
- Артикул
- R6020ENJTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 67 ns
- Rise Time:
- 53 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 824 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM Super Junction-MOS EN и KN сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в версияx 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx мер по борьбе с шумом. Быстропереключаемые устройства серии KN предлагаются в вариантаx напряжения 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуются для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 67 ns |
| Rise Time: | 53 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | R6020ENJ |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 231 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 196mΩ@9.5A, 10V |