R6015FNX, MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008575275
- Артикул
- R6015FNX
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Packaging:
- Bulk
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 984 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220FP-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 77 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |