Моя заявка (0)
R6014YND3TL1, MOSFETs TO252 650V 42A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025142863
Артикул
R6014YND3TL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
13 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 315,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусе TO-220FM-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до +150°C и параметры рассеиваемой мощности 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:13 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:15 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусto252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:20 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:132 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:260 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В