Моя заявка (0)

R6012JNX Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G

R6012JNX Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8035445339
Артикул
R6012JNXC7G
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 1 150 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V N-CH 12A POWER МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
УпаковкаTube
Power Dissipation60Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада15 ns
ОсобенностиEnhancement Mode
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора28 nC
Время нарастания17 ns
Drain Source On State Resistance0.3Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока12А
Рассеиваемая Мощность60Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs6В
Pd - рассеивание мощности60 W
Id - непрерывный ток утечки12 A
Напряжение Измерения Rds(on)15В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FM
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток390 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения44 ns
Типичное время задержки при включении23 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.3Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация