Моя заявка (0)

R6010YND3TL1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Surface Mount

R6010YND3TL1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046469586
Артикул
R6010YND3TL1
Бренд
Rohm
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±30V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.426
Цена по запросу
(от 550 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 600 В 10А (Tc) 92 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-252

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.426
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 1.2mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 4.2A, 12V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)92W(Tc)
Supplier Device PackageTO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.39 Ом

Техническая документация