R6009RND3TL1, MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018641113
- Артикул
- R6009RND3TL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Reel
- Rise Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 197,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM Super Junction-MOS EN и KN сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в версияx 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx мер по борьбе с шумом. Быстропереключаемые устройства серии KN предлагаются в вариантаx напряжения 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуются для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Reel |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 665 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |