R6009JND3TL1, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006220647
- Артикул
- R6009JND3TL1
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 125Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 269,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.45Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |