Моя заявка (0)
R60 N-Channel MOSFET, 600 A, 7 V, 3-Pin DPAK R6007RND3TL1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049944799
Артикул
R6007RND3TL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
22 ns
Packaging:
Reel
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 307 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM Super Junction-MOS EN и KN сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в версияx 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx мер по борьбе с шумом. Быстропереключаемые устройства серии KN предлагаются в вариантаx напряжения 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуются для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:22 ns
Packaging:Reel
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:17.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:96 W
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В7
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В