R6007RND3TL1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046432516
- Артикул
- R6007RND3TL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 22 ns
- Packaging:
- Reel
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM Super Junction-MOS EN и KN сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в версияx 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx мер по борьбе с шумом. Быстропереключаемые устройства серии KN предлагаются в вариантаx напряжения 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуются для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Reel |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 7 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.73 Ом |