Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V, 3-Pin DPAK R6007END3TL1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030984153
Артикул
R6007END3TL1
Бренд
Rohm
Width
6.4mm
Series
R6007END3
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 313,67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малошумящий силовой МОП-транзистор ROHM подxодит для импульсныx источников питания, он обладает низким сопротивлением включению, низким уровнем радиационного шума, не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS.

Технические параметры

Width6.4mm
SeriesR6007END3
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation78Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.5V
Особенностивысоковольтный
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation78 W
Typical Gate Charge @ Vgs20 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance620 mΩ
Drain Source On State Resistance0.57Ом
Maximum Continuous Drain Current7 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока7А
Рассеиваемая Мощность78Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.57Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация