Моя заявка (0)
R60 N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V, 3-Pin DPAK R6004RND3TL1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049944798
Артикул
R6004RND3TL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
35 ns
Packaging:
Reel
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM Super Junction-MOS EN и KN сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в версияx 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx мер по борьбе с шумом. Быстропереключаемые устройства серии KN предлагаются в вариантаx напряжения 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуются для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:35 ns
Packaging:Reel
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:60 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.73 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В