R6004ENXC7G, Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044325790
- Артикул
- R6004ENXC7G
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 40 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 22 ns
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Минимальный заказ: 80 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 40 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220FM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | R6004ENX |
| Transistor Type: | Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +155 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 980 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |