Моя заявка (0)

R60 N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1

R60 N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V, 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049953242
Артикул
R6004END4TL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
40 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусаx TO-220FM-3/SOT-223-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до 150°C/155°C и параметры рассеиваемой мощности 7,8 Вт, 6,6 Вт, 12,3 Вт, 9,1 Вт, 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:40 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:4000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:9.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:2.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:980 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В