Моя заявка (0)

R6004END4TL1, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6004END4TL1, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026779661
Артикул
R6004END4TL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
40 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 122,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусаx TO-220FM-3/SOT-223-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до 150°C/155°C и параметры рассеиваемой мощности 7,8 Вт, 6,6 Вт, 12,3 Вт, 9,1 Вт, 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:40 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:4000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:9.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:2.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:980 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В