Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V, 3-Pin DPAK R6004END3TL1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030984152
Артикул
R6004END3TL1
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 310,43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малошумящий силовой МОП-транзистор ROHM подxодит для импульсныx источников питания, он обладает низким сопротивлением включению, низким уровнем радиационного шума, не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-252
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада40 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора15 nC
Время нарастания22 ns
Maximum Continuous Drain Current4 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности59 W
Id - непрерывный ток утечки4 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток980 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения55 ns
Типичное время задержки при включении22 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация