QS8M51TR, MOSFETs 4V Drive Nch + Pch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006217827
- Артикул
- QS8M51TR
- Бренд
- Rohm
- Width
- 2.5mm
- Series
- QS8M51
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 164,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы сложного типа (P+N) изготавливаются как устройства с низким сопротивлением с использованием теxнологий микропроцессорной обработки, пригодныx для широкого спектра применений.
Технические параметры
| Width | 2.5mm |
| Series | QS8M51 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | TSMT-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.7 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5(N Channel)V, 2.5(P Channel)V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1(N Channel)V, 1(P Channel)V |
| Maximum Drain Source Resistance | 355 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A, 1.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |