QS8K13TCR, MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005508831
- Артикул
- QS8K13TCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 7 ns, 7 ns
- Rise Time:
- 40 ns, 40 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 151,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 7 ns, 7 ns |
| Rise Time: | 40 ns, 40 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TSMT-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | QS8K13 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 550mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 390pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns, 35 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S, 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms, 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |