QS8J5TR, MOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 5A 8PIN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024469539
- Артикул
- QS8J5TR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 55 ns
- Rise Time:
- 40 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 174,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 55 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TSMT-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | QS8J5 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |