Моя заявка (0)
QS6M3TR, TSMT6 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015784630
Артикул
QS6M3TR
Бренд
Rohm
ECCN
EAR99
Type
1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 30,92 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

1,5А 230mOhm@1.5A,4,5 В 1,25 Вт 1.5V@1mA 1PCSN-канальные и 1PCSP-канальные МОП-транзисторы SC-95 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

ECCNEAR99
Type1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
HTSUS8541.29.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN and P-Channel
Вес, г0.01
FET FeatureLogic Level Gate
Power - Max1.25W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Base Product Number*M3 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Power Dissipation (Pd)1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Особенности-
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.6nC@4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)80pF@10V
Continuous Drain Current (Id)1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C1.5A
Пороговое напряжение на затворе1.5V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30V;20V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)230mΩ@1.5A, 4.5V

Техническая документация