QS6K21FRATR,Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1 A, 0.3 ohm, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8600699368
- Артикул
- QS6K21FRATR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 8 ns
- Вес, г
- 0.011
Цена по запросу
(от 121 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы QS6Kx Nch+Nch Автомобильные МОП-транзисторы ROHM Semiconductor QS6Kx Nch+Nch - это МОП-транзисторы с низким сопротивлением, оснащенные встроенным диодом защиты G-S. Эти МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и имеют постоянный ток разряда ±1 А (Id). МОП-транзисторы QS6Kx выпускаются в небольшом корпусе для поверxностного монтажа (TSMT6). Эти МОП-транзисторы подxодят для коммутации питания.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.011 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSMT-6 |
| Part # Aliases: | QS6K21FRA |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, NPN |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 45 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.95 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом |