QS6K1TR, MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005508826
- Артикул
- QS6K1TR
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
Цена по запросу
(от 81,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Mosfet-матрица 2-канальная (двойная) 30 В 1 А 1,25 Вт для поверxностного монтажа TSMT6 (SC-95)
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 1.25W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | *K1 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 238mOhm @ 1A, 4.5V |
| Особенности | полевая сборка |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 77pF @ 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 1А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1A |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.364Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |