QS6K1FRATR, MOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005508825
- Артикул
- QS6K1FRATR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 27
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 80,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 0.26Rds(on) 1.7Qg
Технические параметры
| Вес, г | 27 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| Время нарастания | 7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Другие названия товара № | QS6K1FRA |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |