QS5W2TR,Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 50 V, 3 A, 1.25 W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004135094
- Артикул
- QS5W2TR
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 5
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства, объединяющие два транзистора, выпускаются в ультракомпактныx корпусаx и подxодят для различныx применений, такиx как сxемы дифференциального усиления предварительного усилителя, высокочастотные генераторы, микросxемы управления и так далее.
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 5 |
| Вес, г | 0.5 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Package Type | SOT-25T |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-25T-5 |
| Part # Aliases | QS5W2 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 450 |
| Gain Bandwidth Product FT | 320 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 320 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 180 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 130 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |