QS5K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015788460
- Артикул
- QS5K2TR
- Бренд
- Rohm
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- QS5K2
Цена по запросу
(от 26,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | QS5K2 |
| Высота | 0.85 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-25T-5 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 2.8 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Другие названия товара № | QS5K2 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |