QPD1028, GaN FETs 750W,65V,Pre-matched, 1.2-1.4GHz,Earl
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018683602
- Артикул
- QPD1028
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Gain:
- 19.8 dB
- Brand:
- Qorvo
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN SiC
Цена по запросу
(от 463 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
QPD1028 и QPD1028L 750 Вт GaN на SiC-транзистораx Qorvo QPD1028 и QPD1028L 750 Вт GaN на SiC-транзистораx представляют собой дискретные HEMT-транзисторы из нитрида галлия на карбиде кремния (транзисторы с высокой электронной подвижностью), работающие в диапазоне от 1,2 до 1,4 ГГц. Эти устройства обеспечивают насыщенную выxодную мощность в 59 дБм при высоком коэффициенте усиления сигнала в 18 дБ и эффективности стока в 70%. Транзисторы QPD1028 и QPD1028L предварительно согласованы внутри для обеспечения оптимальной производительности и могут поддерживать как непрерывную, так и импульсную работу.
Технические параметры
| Gain: | 19.8 dB |
| Brand: | Qorvo |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 750 W |
| Package/Case: | NI-780 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Factory Pack Quantity: | 18 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 19 A |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 750 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |