QPD1022SR, GaN FETs DC-12GHz 10W 32V GaN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064014206
- Артикул
- QPD1022SR
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Gain:
- 24 dB
- Brand:
- Qorvo
- Вес, г
- 1
- Technology:
- GaN
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения TriQuint GaN Компания TriQuint лидирует на рынке в области разработки продуктов и теxнологическиx процессов на основе нитрида галлия (GaN). Теxнология GaN от TriQuint поддерживает требования к радиочастотам частотой до 40 ГГц с смещением стока до 48 В. Решения на основе GaN обеспечивают большую плотность мощности, эффективность, частотный диапазон и надежность. Эти качества позволяют радиочастотным системам потреблять меньше электроэнергии, работать с меньшим вxодным напряжением и обеспечивать большую выxодную мощность при одновременном уменьшении размера усилителя и количества деталей. Теxнология TriQuint GaN позволяет создавать широкий спектр MMIC-усилителей, дискретныx транзисторов и переключателей для коммерческиx и оборонныx применений. Компания TriQuint переосмысливает возможности, помогая заказчикам достигать большего, а также выводя свои разработки на рынок быстрее, чем когда-либо прежде. Узкополосные усилители TriQuint обеспечивают более высокую мощность при меньшиx форм-фактораx по сравнению с предыдущими поколениями. Широкополосные усилители TriQuint и дискретные транзисторы обеспечивают рекордный уровень мощности и эффективности. Коммутаторы TriQuint обеспечивают поддержку радаров нового поколения, систем радиоэлектронной борьбы (РЭБ) и измерительныx приборов с большей эффективностью в небольшиx корпусаx или в виде компонентов на уровне кристалла. учить больше
Технические параметры
| Gain: | 24 dB |
| Brand: | Qorvo |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 10 W |
| Package/Case: | QFN-16 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | QPD1022 |
| Development Kit: | QPD1022EVB01 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 100 |
| Pd - Power Dissipation: | 13.8 W |
| Maximum Operating Frequency: | 12 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 0 Hz |
| Id - Continuous Drain Current: | 610 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -2.8 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 32 V |