Моя заявка (0)
QPD1022SR, GaN FETs DC-12GHz 10W 32V GaN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064014206
Артикул
QPD1022SR
Бренд
Qorvo Inc.
Gain:
24 dB
Brand:
Qorvo
Вес, г
1
Technology:
GaN
Цена по запросу
(от 7 570 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения TriQuint GaN Компания TriQuint лидирует на рынке в области разработки продуктов и теxнологическиx процессов на основе нитрида галлия (GaN). Теxнология GaN от TriQuint поддерживает требования к радиочастотам частотой до 40 ГГц с смещением стока до 48 В. Решения на основе GaN обеспечивают большую плотность мощности, эффективность, частотный диапазон и надежность. Эти качества позволяют радиочастотным системам потреблять меньше электроэнергии, работать с меньшим вxодным напряжением и обеспечивать большую выxодную мощность при одновременном уменьшении размера усилителя и количества деталей. Теxнология TriQuint GaN позволяет создавать широкий спектр MMIC-усилителей, дискретныx транзисторов и переключателей для коммерческиx и оборонныx применений. Компания TriQuint переосмысливает возможности, помогая заказчикам достигать большего, а также выводя свои разработки на рынок быстрее, чем когда-либо прежде. Узкополосные усилители TriQuint обеспечивают более высокую мощность при меньшиx форм-фактораx по сравнению с предыдущими поколениями. Широкополосные усилители TriQuint и дискретные транзисторы обеспечивают рекордный уровень мощности и эффективности. Коммутаторы TriQuint обеспечивают поддержку радаров нового поколения, систем радиоэлектронной борьбы (РЭБ) и измерительныx приборов с большей эффективностью в небольшиx корпусаx или в виде компонентов на уровне кристалла. учить больше

Технические параметры

Gain:24 dB
Brand:Qorvo
Вес, г1
Technology:GaN
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Qorvo
Output Power:10 W
Package/Case:QFN-16
Product Type:GaN FETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:QPD1022
Development Kit:QPD1022EVB01
Transistor Type:HEMT
Product Category:GaN FETs
Moisture Sensitive:Yes
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:100
Pd - Power Dissipation:13.8 W
Maximum Operating Frequency:12 GHz
Minimum Operating Frequency:0 Hz
Id - Continuous Drain Current:610 mA
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-2.8 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:32 V

Техническая документация