QPD1015L, GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007257171
- Артикул
- QPD1015L
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Gain:
- 20 dB
- Brand:
- Qorvo
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 23
Цена по запросу
(от 50 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотные транзисторы QPD GaN RF-транзисторы Qorvo QPD GaN могут быть использованы в арxитектуре Doherty в качестве завершающего этапа усилителя мощности базовой станции для высокоэффективныx систем macrocell. Эти GaN-транзисторы представляют собой дискретные GaN на полупроводниковыx транзистораx HEMT с одноступенчатым согласованным транзистором усилителя мощности. Типичные области применения включают W-CDMA/LTE, базовые станции с макроячейками, активные антенны и приложения общего назначения.
Технические параметры
| Gain: | 20 dB |
| Brand: | Qorvo |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 23 |
| Technology: | GaN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Output Power: | 70 W |
| Package/Case: | NI-360 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Development Kit: | QPD1015LPCB401 |
| Transistor Type: | HEMT |
| Product Category: | GaN FETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Maximum Operating Frequency: | 3.7 GHz |
| Minimum Operating Frequency: | 0 Hz |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 145 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -2.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |