Моя заявка (0)

QM4002AD-VB, МОП-Транзистор 40 В 55 А 12 м-при 10 В, 38,8 А 100 Вт 2,5 В при 250мкА 570 пФ при 15 В N-канал 1,801нФ при 15 В 42 нК при 4,5 В

QM4002AD-VB, МОП-Транзистор 40 В 55 А 12 м-при 10 В, 38,8 А 100 Вт 2,5 В при 250мкА 570 пФ при 15 В N-канал 1,801нФ при 15 В 42 нК при 4,5 В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015857433
Артикул
QM4002AD-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Type
1PCSNChannel
Вес, г
0.4
Структура
N-Channel
Power Dissipation (Pd)
100W
Цена по запросу
(от 56,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор N-MOSFET 40В 55А 100Вт [DPAK]

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г0.4
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)100W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)42nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.801nF@15V
Continuous Drain Current (Id)55A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)570pF@15V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А55
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)12mΩ@10V, 38.8A

Техническая документация