QH8MA4TCR, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015795897
- Артикул
- QH8MA4TCR
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSNChannel+1PCSPChannel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 7 ns, 22 ns
- Rise Time:
- 19 ns, 16 ns
Цена по запросу
(от 47,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel+1PCSPChannel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 7 ns, 22 ns |
| Rise Time: | 19 ns, 16 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TSMT-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | QH8MA4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15.5 nC, 19.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N and P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 2.6 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 640pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns, 55 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9A;8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A, 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.4 S, 5.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.3 mOhms, 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@9A, 10V |