QH8MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070210031
- Артикул
- QH8MA3TCR
- Бренд
- Rohm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N, P
Цена по запросу
(от 84,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N+P Ch МОП-транзистор
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | TSMT8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.7 ns, 20 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.2 nC, 10 nC |
| Время нарастания | 8 ns, 12 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Другие названия товара № | QH8MA3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A, 5.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22 mOhms, 37 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns, 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.2 ns, 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.7 S, 3.3 S |