QH8KC5 Dual N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 8-Pin TSMT-8 QH8KC5TCR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034101694
- Артикул
- QH8KC5TCR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 1.1W
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | полевая сборка |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.1nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 135pF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 90mΩ@3A, 10V |