Моя заявка (0)

QH8K22TCR, 40V 6.5A 1.1W 46m @10V,6.5A 2.5V 2 N-Channel TSMT8 MOSFETs ROHS

QH8K22TCR, 40V 6.5A 1.1W 46m @10V,6.5A 2.5V 2 N-Channel TSMT8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049278242
Артикул
QH8K22TCR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2.9 ns
Цена по запросу
(от 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2.9 ns
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSMT-8
Part # Aliases:QH8K22
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:46 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000