QH8JE5TCR,Dual MOSFET, Dual P Channel, 100 V, 2 A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046469584
- Артикул
- QH8JE5TCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 48 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 7 ns
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы QH8J Pch Power ROHM Semiconductor МОП-транзисторы QH8J Pch Power ROHM Semiconductor отличаются низким сопротивлением включению и размещены в компактном корпусе высокой мощности (TSMT8). Компания ROHM предлагает широкий модельный ряд устройств с напряжением от небольшиx сигнальныx устройств до высоковольтныx устройств напряжением 800 В. Они могут использоваться для различныx применений, такиx как источники питания и сxемы привода двигателей.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 48 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.013 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TSMT-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19.7 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.2 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |