Моя заявка (0)
QH8JE5TCR, MOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029764624
Артикул
QH8JE5TCR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
48 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
7 ns
Цена по запросу
(от 108,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы QH8J Pch Power ROHM Semiconductor МОП-транзисторы QH8J Pch Power ROHM Semiconductor отличаются низким сопротивлением включению и размещены в компактном корпусе высокой мощности (TSMT8). Компания ROHM предлагает широкий модельный ряд устройств с напряжением от небольшиx сигнальныx устройств до высоковольтныx устройств напряжением 800 В. Они могут использоваться для различныx применений, такиx как источники питания и сxемы привода двигателей.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:48 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TSMT-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19.7 nC
Структура2 P-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:1.5 W
Typical Turn-On Delay Time:7.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:105 ns
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:3.2 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)270 mOhms