QH8JC5TCR, Транзистор: P-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070088395
- Артикул
- QH8JC5TCR
- Бренд
- Rohm
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
- Power - Max
- 1.1W(Ta)
- Channel Type
- P Channel
Цена по запросу
(от 137,48 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 60 В 3,5 А (Ta) 1,1 Вт (Ta) для поверxностного монтажа TSMT8
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Power - Max | 1.1W(Ta) |
| Channel Type | P Channel |
| Configuration | 2 P-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.071Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.071Ом |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 3.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3.5А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |