Моя заявка (0)

PZTA56, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 500мА; 1Вт; SOT223-3

PZTA56, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 500мА; 1Вт; SOT223-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547242
Артикул
PZTA56
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.19
Длина
6.5 mm
Серия
PZTA56
Высота
1.6 mm
Цена по запросу
(от 81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor General Purpose

Технические параметры

Вес, г0.19
Длина6.5 mm
СерияPZTA56
Высота1.6 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.56 mm
Transistor TypePNP
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)1W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)50MHz
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@100mA, 1V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1 W
Размер фабричной упаковки4000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA, 10mA
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)500мА
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация