Моя заявка (0)

PZTA42T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 1,5Вт, SOT223

PZTA42T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 1,5Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067760592
Артикул
PZTA42T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3+Tab
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.16
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-223(SC-73)
ConfigurationSingle Dual Collector
Mounting TypeSurface Mount
Package Width3.5
Package Length6.5
Transistor TypeNPN
EDA / CAD ModelsPZTA42T1G by Ultra Librarian
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-223
Power Dissipation1.5Вт
Структураnpn
Standard Package NameSOT
DC Current Gain hFE Min50hFE
Minimum DC Current Gain40
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Power Dissipation1.5 W
Maximum Operating Frequency50 MHz
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current50мА
Maximum DC Collector Current50 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector Emitter Voltage Max300В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage300 V
Maximum Power Dissipation (mW)1500
DC Усиление Тока hFE50hFE
Maximum DC Collector Current (A)0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Emitter Voltage300 V
Maximum Collector Base Voltage (V)300
Maximum Transition Frequency (MHz)50(Min)
Частота Перехода ft50МГц
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)300
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.9@2mA@20mA
Полярность ТранзистораNPN
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.5@2mA@20mA
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация