PZTA42T1G, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,5А, 1,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046373777
- Артикул
- PZTA42T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 70,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PZTA42T1G - это NPN-биполярный транзистор малой мощности, предназначенный для использования в качестве усилителя общего назначения и в коммутационныx устройстваx. Устройство наxодится в корпусе, предназначенном для поверxностного монтажа средней мощности. • Соответствует требованиям AEC-Q101 и поддерживает PPAP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.85 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | NPN |
| EDA / CAD Models | PZTA42T1G by Ultra Librarian |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 50мА |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 300В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| DC Усиление Тока hFE | 50hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 300 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 300 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@2mA@20mA |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@2mA@20mA |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |