PZTA06, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 500мА, 1Вт, SOT223-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004542705
- Артикул
- PZTA06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 0.33
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- PZTA06
Цена по запросу
(от 61,93 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 500мА, 1Вт, SOT223-3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | PZTA06 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.56 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1.0V |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Другие названия товара № | PZTA06_NL |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |