PZT651T1G, Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001012206
- Артикул
- PZT651T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.75
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 890 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Серия: | pzt651 |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.57 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Технология: | si |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Minimum DC Current Gain | 40@2A@2V|75@1A@2V|75@500mA@2V|75@50mA@2V |
| Тип продукта: | bjts-bipolar transistors |
| Конфигурация: | single |
| Подкатегория: | transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | onsemi |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | sot-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 75(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта: | биполярные транзисторы-bjt |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@1A |
| Полярность транзистора: | npn |
| Pd - рассеивание мощности: | 800 mw |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 v |
| Непрерывный коллекторный ток: | 2 a |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 80 v |
| Минимальная рабочая температура: | -65 c |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 60 v |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 2 a |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.5 v |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 75 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 75 mhz |