Моя заявка (0)

PZT5551G-B-AA3-R, 50nA 160V 2W 150@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015911780
Артикул
PZT5551G-B-AA3-R
Бренд
Unisonic Technologies Co., Ltd.
Вес, г
0.31
Корпус
SOT-223
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 12,97 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

160 В 2 Вт 150 при 10 мА, 5 В 600 мА на биполярныx транзистораx NPN SOT-223-4 - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.31
КорпусSOT-223
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)600mA
Power Dissipation (Pd)2W
Transition Frequency (fT)100MHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)150@10mA, 5V
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@50mA, 5mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100