PZT3904T1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001015301
- Артикул
- PZT3904T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand
- ON Semiconductor
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 1400 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор NPN, биполярный, 40В, 0,2А, 1Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | PZT3904 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | PZT3904 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 0.2 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85 1mA 10mA|0.95 5mA 50mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2 1mA 10mA|0.3 5mA 50mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |