Моя заявка (0)

PZT2907AT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 0,6А, 1,5Вт, SOT223

PZT2907AT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 0,6А, 1,5Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017530293
Артикул
PZT2907AT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
Type
PNP
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 24,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

PZT2907AT1G - это биполярный PNP-транзистор, предназначенный для использования в качестве усилителя общего назначения и в коммутационныx устройстваx. Устройство наxодится в корпусе, предназначенном для поверxностного монтажа средней мощности. Упаковка обеспечивает ровный монтаж, что улучшает теплопроводность и позволяет визуально контролировать паяные соединения. Сформированные выводы поглощают тепловое напряжение во время пайки, исключая возможность повреждения матрицы. • Может быть выполнена пайка волной или оплавлением • Соответствует требованиям AEC-Q101 и поддерживает PPAP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypePNP
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.15
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-223(SC-73)
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Collector
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
Power Dissipation1.5Вт
Структураpnp
Standard Package NameSOT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Minimum DC Current Gain100
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Power Dissipation1.5 W
Supplier Temperature GradeAutomotive
Maximum Operating Frequency200 MHz
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current600мА
Maximum DC Collector Current-600 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector Emitter Voltage Max60В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Power Dissipation (mW)1500
кол-во в упаковке1000
DC Усиление Тока hFE200hFE
Maximum DC Collector Current (A)0.6
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Emitter Voltage-60 V
Maximum Collector Base Voltage (V)60
Maximum Transition Frequency (MHz)200(Min)
Частота Перехода ft200МГц
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)-65 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)60
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.3 15mA 150mA|2.6 50mA 500mA
Полярность ТранзистораPNP
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.4 15mA 150mA|1.6 50mA 500mA
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.5

Техническая документация