Моя заявка (0)

PZT2222AT3G, 10nA 40V 1.5W 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT

PZT2222AT3G, 10nA 40V 1.5W 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061908776
Артикул
PZT2222AT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500 МВт 4-контактный(3+Tab) SOT-223 T/R

Технические параметры

TabTab
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.21
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Collector
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
Power Dissipation1.5Вт
Структураnpn
Standard Package NameSOT
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current600мА
Collector Emitter Voltage Max40В
Maximum Power Dissipation (mW)1500
DC Усиление Тока hFE35hFE
Maximum DC Collector Current (A)0.6
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Base Voltage (V)75
Maximum Transition Frequency (MHz)300(Min)
Частота Перехода ft300МГц
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300

Техническая документация