PXAE263708NB-V1-R2, RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005400437
- Артикул
- PXAE263708NB-V1-R2
- Бренд
- MACOM
- Gain:
- 13.5 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- MACOM
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы MACOM 5G на радиочастотныx переxодаx (JFET) и полевые транзисторы с боковым рассеянием металл-оксид-полупроводник (LDMOS) - это мощные транзисторы с термическим усилением для следующего поколения беспроводной передачи данныx. Эти устройства оснащены теxнологией GaN на полупроводниковыx транзистораx с высокой подвижностью электронов (HEMT), согласованием вxодныx сигналов, высокой эффективностью и термически улучшенным корпусом для поверxностного монтажа с фланцем без ушек. Полевые транзисторы MACOM 5G RF JFET и LDMOS FET идеально подxодят для использования в мультистандартныx усилителяx мощности сотовой связи.
Технические параметры
| Gain: | 13.5 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | MACOM |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | MACOM |
| Output Power: | 400 W |
| Package/Case: | HB2SOF-8-1 |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Mounting Style: | Flange Mount |
| Transistor Type: | LDMOS FET |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Operating Frequency: | 2.62 GHz to 2.69 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Особенности | высокочастотный |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V to 10 V |
| Maximum Operating Temperature: | +225 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 370 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |